博士天团攻坚激光芯片，拿到3个亿融资

　　7月1日，北京飓芯科技对外官宣，完成3亿元B轮融资。

　　飓芯成立于2017年7月，核心团队由多名经验丰富的博士组成，主攻氮化镓激光芯片产业化，实现关键核心器件的自主可控。

　　本轮融资，飓芯获得国家基金、半导体产业方和一线投资机构的认可。

　　3亿融资由深创投制造业转型升级新材料基金（国家制造业转型升级基金特定投资载体）、中国国新所属的国风投新智基金联合领投，广发信德、盛景嘉成参与投资，老股东荷塘创投持续加注。

　　“这是对团队数十年如一日，持之以恒，埋头做事的肯定。”

　　飓芯创始人、董事长胡晓东表示，这轮融资金额较大，飓芯在充足资金加持下，将加快氮化镓激光芯片国产化的进程。

　　技术攻坚

　　飓芯科技在官网的显眼位置，印了这么一句话——团结奋斗，守正创新，为我国光电子科技和产业做贡献。

　　这句话出自中国科学院院士甘子钊。谨记甘院士教诲，飓芯团队八年磨一剑，攻克了氮化镓激光芯片生产中的技术难题。

　　氮化镓激光芯片，即GaN，被称为“皇冠上的明珠”。

　　据联合领投方“国风投”介绍，氮化镓激光芯片是显示、照明、制造加工等多领域的核心光电器件，具有广阔的应用场景；基于突出的技术壁垒和行业Knowhow，多年来国内市场基本被国外企业所垄断。

　　我国是全球最大的镓生产国之一，以GaN为材料的半导体优势诸多，然而，科研攻关难度大。

　　具体来看，这类激光芯片中，每平方厘米数百万个缺陷，使光子在谐振腔反射时如穿亚马逊丛林般，易被散射吸收，造成损耗；且每个缺陷都可能成为漏电通道，导致芯片被击穿，难以实现长寿命。

　　飓芯科技的核心团队，从事氮化镓半导体激光器研究20余年。

　　早在2004年底，其即在国内首次实现波长为405nm的脊型波导氮化镓基激光器的电注入激射，为中国氮化镓基激光器零的突破做出重要贡献；后又历经8年磨炼，攻克GaN激光芯片的制备工艺与封测难题。

　　2023年，飓芯科技建成国内首条GaN半导体激光芯片量产线，并投入实际生产；2024年，又率先在国内实现大功率氮化镓激光芯片批量供货。

　　据官方披露，飓芯已实现数千万颗芯片的稳定出货。

　　落地应用

　　飓芯科技，正逐步拓展产品矩阵。

　　目前，其已拥有大功率、中功率、小功率的紫、蓝、绿光多款氮化镓激光芯片成熟产品，且已成功导入下游客户的多领域场景。

　　“我们的产品在多个应用领域成功替代进口，验证了技术路线的成熟可靠，更彰显了团队将实验室创新转化为规模量产的核心能力。”飓芯创始人、总经理宗华称。

　　据介绍，飓芯产品功率涵盖范围较大，封装形式灵活，可广泛应用于激光电视、激光投影、有色金属焊接、激光手术、增强现实、激光通讯等重要领域。

　　此次B轮融资，将主要用于柳州基地的产能扩建、中小功率产品升级、多款大功率产品市场放量、人才引进等。

　　“本轮融资，标志着飓芯科技产业化进程进入全面加速阶段。”

　　宗华表示，依托本土化服务网络，飓芯将可提供从产品导入到量产落地的全周期快速响应，而这种贴身服务优势是国际厂商难以复制的。

　　面向未来，飓芯科技计划深化产业链协同创新，突破更多应用领域，加速完成从技术追赶到产业引领的关键跨越。

　　投资机构看好该公司前景。

　　“飓芯科技核心团队在氮化镓领域深耕20余年，技术底蕴深厚，且率先在国内实现氮化镓激光芯片量产，有力推动了氮化镓半导体激光器的国产替代进程。”

　　领投的深创投投资团队表示，愿支持飓芯团队不断成长，持续助力氮化镓激光芯片创新升级。

（文章来源：21世纪经济报道）

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