美光CEO：内存短缺或持续至2026年后 新产能2028年才能大规模释放

　　日前，美国存储芯片厂商美光CEO桑杰·马罗特拉（Sanjay Mehrotra）接受外媒采访时发出预警，称当前全球内存短缺可能延续至2026年之后，而行业真正意义上的大规模新产能释放，至少要等到2028年。

　　在人工智能浪潮将内存芯片推至“新石油”地位的当下，存储行业正经历一场超级周期。美光已经在美国启动一项横跨三州的宏大投资计划，整个投资规模达到2000亿美元。

　　“厂房基础建设是目前周期最长、挑战最大的环节，土建完成后，设备入场、安装调试同样需要漫长周期。”马罗特拉在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂接受采访时坦言。该工厂刚刚启动了全美首个“1-alpha”工艺节点DRAM量产，这也是美光将先进内存制造回流本土的关键一步。

　　由于全球存储芯片紧缺，美光正在进行大规模扩产。根据之前美光披露的计划，美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，首座预计明年年中产出首批晶圆，第二座则要到2028年底；在纽约州锡拉丘兹规划多达四座晶圆厂的生产集群。整体而言，美光计划在全美投资高达2000亿美元，目标是将本土产量占全球总产量的比重从当前的约10%提升至40%。

　　由于产能扩充需要时间，当下美光的核心客户都没有办法完全满足需求。马罗特拉透露，目前美光对核心客户的供应满足度仅能达到50%至三分之二，供需缺口巨大。

　　“我们预计行业内真正意义上的大体量新产能释放，要到2028年前后才会开始显现。”马罗特拉强调，内存制造属于建设周期极长的重资产，从厂房动工到设备调试完成，耗时远超外界想象。

　　众所周知，内存行业历来是一个强周期性行业，繁荣与萧条交替更迭。美光的大手笔投资也引发投资者的担忧。

　　对此，马罗特拉明确表示，美光会秉持“严谨、理性的纪律”，何时往新建厂房中填装生产设备，完全取决于对市场最新需求走势的精准评估，“核心在于要下好‘先手棋’，做好随时响应市场需求的产能准备。”

　　目前，美光正积极与客户签订长期供应协议，以锁定供应链的确定性与可预测性。这既保障了客户利益，也为美光自身的大规模长期投资注入了信心。

　　值得一提的是，作为美国唯一的内存制造商，美光在本土供应链安全议题上获得了特朗普政府的高度支持。美国商务部长霍华德·卢特尼克等官员近期多次为美光站台，政府甚至正推动更积极的“国家工业政策”以催化和激励本土半导体制造。

　　马罗特拉表示，美光在美国的投资将直接催生9万个高薪就业岗位。为了配合这一进程，美光正全身心地投入到与地方社区、高校、科研院所以及地方保障系统的深度协作中，甚至在全力推进相关的学徒工培养项目。

（文章来源：澎湃新闻）

(原标题：美光CEO：内存短缺或持续至2026年后，新产能2028年才能大规模释放)

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