HBM4争夺战白热化！先进封装走向台前 三星HBM 3D封装年内落地

　　AI热潮将先进封装推向台前。

　　人工智能需要越来越快的芯片，但随着芯片尺寸接近原子级，进一步缩小芯片的成本越来越高。而将不同的芯片紧密集成在一个封装中，可以减少数据传输时间和能耗。

　　《韩国经济日报》援引三星电子公司和消息人士的话称，三星电子将在年内推出高带宽内存（HBM）的3D封装服务，计划明年推出的第六代HBM芯片HBM4将采用这种封装方式。

　　就在两周前，黄仁勋宣布下一代AI平台Rubin将集成HBM4内存，预计于2026年发布。

　　垂直堆叠

　　三星这项被称为SAINT-D的最新封装技术是在逻辑芯片上垂直堆叠HBM芯片，以进一步加快数据学习和推理处理速度。

　　目前，HBM芯片通过硅中间层在2.5D封装技术下与逻辑芯片水平连接。

　　相比之下，3D封装不需要硅中间层，也不需要在芯片之间放置一个薄基板，就能使它们通信并协同工作。

　　由于AI芯片封装需要整合不同类型的芯片，往往芯片代工厂需要与其他芯片制造商合作设计封装。

　　而三星可提供HBM 3D封装的一揽子解决方案，即三星先进封装团队把内存业务部门生产的HBM芯片与代工部门组装的逻辑芯片进行垂直堆叠封装。

　　三星电子高管表示，3D封装降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片的电信号质量。

　　HBM4争夺战白热化

　　值得注意的是，三星的HBM3E内存目前仍未正式通过英伟达的测试，仍需进一步验证。而美光和SK海力士已在2024年初通过了英伟达的验证，并获得了订单。

　　即将推出HBM的3D封装服务意味着三星加快研发脚步，争取缩小与SK海力士在HBM4的差距。

　　事实上，HBM4争夺战早已打响。去年11月就有消息称，SK海力士正与英伟达联合讨论与三星方案类似的HBM4“颠覆性”集成方式。今年4月，SK海力士与台积电签署战略结盟协议，强化生产HBM芯片与先进封装技术的能力。而台积电的CoWoS技术一直在先进封装中处于领先地位。

　　另据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。

　　此外，美光也正在追赶，etnews援引业内人士的话称，美光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具优势。

　　市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，随着对低功耗、高性能芯片的需求不断增长，HBM在DRAM市场的份额将从2024年的21%增至2025年的30%。

　　摩根士丹利预计，到2027年，先进封装收入占全球半导体收入的比例将达到13%，而2023年的这一比例为9%。

　　MGI Research预测，到2032年，包括3D封装在内的先进封装市场规模将增长至800亿美元，而2023年为345亿美元。

（文章来源：财联社）

(原标题：HBM4争夺战白热化！先进封装走向台前 三星HBM 3D封装年内落地)

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