拓荆科技，拟定增募资不超46亿元

　　拓荆科技9月12日晚间发布公告称，公司拟向不超过35名特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过46亿元，扣除发行费用后拟用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目及补充流动资金。

募资不超过46亿元

　　9月12日晚，拓荆科技对外披露2025年度向特定对象发行A股股票预案。

　　此次向特定对象发行股票的数量按照募集资金总额除以发行价格确定，且不超过此次发行前公司总股本的30%，即此次发行不超过8391.87万股（含本数）。最终发行数量由公司董事会及其授权人士根据股东大会授权、中国证监会及上交所相关规定、中国证监会注册的发行数量上限与保荐机构（主承销商）协商确定。

　　此次向特定对象发行股票募集资金总额不超过46亿元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额拟投入高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目以及补充流动资金。公司此次募集资金主要投向科技创新领域的主营业务。

　　其中，高端半导体设备产业化基地建设项目以薄膜沉积设备扩产为主，拟在辽宁沈阳浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，将引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。该项目拟投入资金17.68亿元，项目建设期为5年。该项目系公司使用首次公开发行募集资金约2.68亿元投资的项目，公司拟使用此次募集资金15亿元对其进行追加投资。

　　拓荆科技称，上述项目的实施，将大幅提升该公司高端半导体设备产能，支撑其PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。

　　拓荆科技前沿技术研发中心建设项目以先进工艺设备开发为主，拟投入20亿元。通过该项目的实施，公司计划开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术；同时，将持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，满足先进工艺的迭代需求。

　　对于此次向特定对象发行股票的目的，拓荆科技在公告中提到，主要是扩大高端半导体设备产能，抓住行业高速发展机遇；战略布局前沿技术，提升创新能力，强化产品优势；增强资金实力，充分利用资本市场优势，促进公司业务稳步发展。通过此次发行，公司可充分利用资本市场优势，增强自身资金实力。此次发行中的部分募集资金拟用于补充流动资金，可满足公司日益增长的经营性现金流需要，优化资产负债结构，提高抗风险能力，增强核心竞争力和盈利能力，促进公司业务稳步发展。

变更公司董事

　　9月12日晚，拓荆科技还披露关于变更公司董事的公告。公告显示，公司董事会于近日收到杨卓和杨柳的书面辞职报告。杨卓由于个人原因，申请辞去公司第二届董事会董事及第二届董事会战略规划委员会委员职务；杨柳由于个人原因，申请辞去公司第二届董事会董事及第二届董事会提名委员会委员职务。公司股东国家集成电路产业投资基金股份有限公司提名袁训和张昊玳为公司第二届董事会非独立董事候选人。

　　公司半年报显示，2025年上半年，公司实现营业收入为19.54亿元，同比增长54.25%；公司实现归属于上市公司股东的净利润9428.80万元，同比下跌26.96%。公司表示，2025年上半年归属于上市公司股东的净利润同比下降，主要系2025年第一季度归属于上市公司股东的净利润大幅下滑所致，因2025年第一季度确认收入的新产品、新工艺的设备在客户验证过程成本较高，毛利率较低。随着公司新产品验证机台完成技术导入并实现量产突破和持续优化，2025年第二季度毛利率环比大幅改善，呈现稳步回升态势。随着公司运营效率的逐步提升，期间费用率同比下降，规模效应将进一步释放利润空间。

（文章来源：中国证券报）

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