中微公司：坚持三维发展战略 新产品研发效率显著加快

　　5月27日，中微公司(688012)举行2024年度暨2025年第一季度业绩说明会。

　　在说明会上，中微公司董事长、总经理尹志尧在回应并购规划时表示，公司将与产业链上下游合作伙伴一起，坚持三维发展战略扩展业务布局：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全、健康发展。

　　据介绍，公司自上市以来斥资20多亿元投资了约40家产业链上下游企业，实现了浮盈50多亿元的良好经济效益和战略协同效果。其中公司参股投资的8家公司已完成A股上市。

　　对于投资者关注的新产品研发效率，尹志尧在业绩会上阐述：“经过20多年的努力，公司已组建了超过千人的研发团队，并且十分全面。十年前，我们一般需要三到五年来开发一个新产品，然后再花两年时间进入市场。比如，MOCVD是从2010年开始研发，2017年才进入市场。从最新产品信息来看，现在我们只需要大约18个月，最多两年就能完成新品研发，半年到一年就可以量产并进入市场。随着速度加快，公司研发产品的数量亦在增加。”

　　根据市场及客户需求，中微公司有超过20款新设备的研发。2024年公司研发总投入为24.52亿元，同比增长94.31%，占营收比例约为27%。

　　“我们正在开发更有竞争力的用于集成电路微观制造的新一代的高能CCP等离子体刻蚀设备、新一代的ICP低能等离子体刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、新一代等离子体源的PECVD设备、LPCVD（LPCVD薄膜设备累计出货量已突破150个反应台）及ALD等薄膜设备、外延EPI设备和电子束量检测等设备。近些年随着先进封装市场快速发展，中微公司针对先进封装的产品布局也从已批量进入生产线的CCP等离子体刻蚀设备、TSV深硅刻蚀设备，开始开发PVD、CVD和量检测设备等。中微公司十几年来也不断布局泛半导体微观制造领域，包括制造氮化镓基发光二极管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD设备，制造碳化硅和氮化镓功率器件的MOCVD设备等。”尹志尧和投资者分享时谈道。

　　中微公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案；其中，公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。并且，公司也在布局光学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备等。

　　此前财报显示，凭借核心技术突破、研发高强度投入及运营效率优化，中微公司2024年实现营业收入约90.65亿元，同比增长约44.73%，保持了近四年营收年均增幅大于40%；扣除非经常性损益的净利润约13.88亿元，同比增长约16.52%；今年一季度，公司实现营业收入21.73亿元，同比增长35.4%；同期实现归属于上市公司股东的净利润3.13亿元，同比增长25.67%。

　　如何看待竞争？行业未来前景几何？也是业绩会上投资者们共同关注的话题。

　　“我们非常欢迎竞争，也会与同行互相学习。中微的策略是专注于开发具有差异化、自主知识产权的高端设备产品，例如，国内目前除了光刻机之外，硬件最难攻克的是电子束检测设备，因为芯片越做越小，量检测设备重要性越来越高，中微要承担这样的社会责任，去补齐这块短板。公司子公司超微公司已引入该领域多名国际顶尖专家，均拥有10年以上电子束设备研发与产品商业化经验。相信不久的将来会有一定成果。”尹志尧和投资者交流时说。

　　谈及行业前景，尹志尧分析称，目前国内半导体设备市场主要由海外企业所占据，近年来我国设备行业技术水平不断提高，国产设备在产品性价比、售后服务、贴近客户等方面的优势逐渐显现，半导体设备国产化在进一步提速。作为全球最大的半导体消费市场，市场需求带动全球产能中心逐步向中国内地转移，持续的产能转移带动了市场规模和技术水平的提高，也为设备行业的发展提供了机遇。

　　“国内半导体设备公司比较成熟的有30多家，其中十几家已上市。按国际经验，经过长期竞争后很多半导体细分行业往往会形成两三家头部公司，即不会出现一家独大，因为头部公司之间也会有差异化产品。我们不仅有信心成为国内领先的公司，还会对标国际竞争对手。中微的长期愿景是，到2035年，在规模、产品、竞争力和客户满意度上，成为全球第一梯队的半导体设备公司。”尹志尧表示。

（文章来源：证券时报网）

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