预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨！科创芯片设计ETF天弘标的指数盘中冲高涨超2%，频现溢价交易

　　A股早盘呈现沪强深弱的走势，成交量小幅放大。科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数早盘一度冲高涨逾2%，现跌1.03%，成交额达7909.82万元，盘中频现溢价交易。成份股中，新相微、东芯股份、芯原股份涨超5%，澜起科技、中微半导、康希通信等多股跟涨，灿芯股份、成都华微、峰岹科技、芯海科技、思瑞浦则跌超5%。

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性，其跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。

　　消息面上，本轮科创芯片板块的强势表现主要受三重因素共振推动。①据网易及花旗报告，AI驱动的存储芯片超级周期已确立，预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨，直接提振全产业链盈利预期。②今日头条指出，AI服务器对高端存储芯片需求激增，而三星、SK海力士等大厂持续控产，导致供需结构性紧张。③同花顺财经报道显示，涨价潮已从存储蔓延至封测、CPU等环节，同时国产替代进程在政策与技术双支撑下加速，为行业注入持续成长动力。

　　中银国际认为，当前中国半导体芯片行业市值仅为美国的十分之一，但正处于追赶关键期。在政策持续赋能、下游市场需求爆发及技术不断突破的推动下，行业有望复制其他成功赛道的增长路径，未来具备巨大的市值增长潜力，但需注意行业内部竞争激烈，龙头地位并非一成不变。

　　中泰证券指出，随着市场对科技产业的高预期逐步被验证，资本环境对科技创新更为友好。2026年长线资金的入市将为科技板块提供重要支撑，主题投资或反复活跃，科技领域的预期博弈与价值发现过程将成为市场长期焦点。

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