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海外科技重挫,中国硬科技独立上涨,科创芯片设计ETF国联安(588780)盘中持续拉升翻红

2026年03月27日 11:24
来源: 东方财富证券

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【海外科技重挫,中国硬科技独立上涨,科创芯片设计ETF国联安(588780)盘中持续拉升翻红】截至2026年3月27日10:49,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨0.13%,盘中换手5.01%,成交4311.02万元,成分股杰华特上涨10.97%,慧智微上涨7.28%,恒玄科技上涨6.70%,乐鑫科技上涨6.54%,天德钰上涨5.31%。

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  截至2026年3月27日10:49,科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨0.13%,盘中换手5.01%,成交4311.02万元,成分股杰华特上涨10.97%,慧智微上涨7.28%,恒玄科技上涨6.70%,乐鑫科技上涨6.54%,天德钰上涨5.31%。

  科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益,跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比超九成,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中,成立时间最早、规模最大的产品。

  消息方面,隔夜美股,半导体板块重挫、科技股集体走弱。在全球科技板块波动背景下,中国硬科技凭借自身产业韧性与政策红利,走出独立上涨行情。

  3月25日,SEMICONChina2026国际半导体展在上海正式拉开帷幕。大会上,SEMI中国总裁表示,在AI算力驱动下,全球半导体产业迎来了历史性时刻,原定于2030年才会达到的万亿美元芯时代有望于2026年底提前到来。2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元,占DRAM市场近四成。尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增产能倾斜至HBM,但HBM产能缺口仍达50%-60%。

(责任编辑:70)

 
 
 
 

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