科创芯片设计ETF鹏华涨超2%，设备国产化率进入快速提升阶段

　　消息面上，存储供需紧缺程度较高，英伟达推出存储机柜新增NAND需求，闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量；26年海外存储原厂资本开支显著增长，主要扩充HBM等高端产品产能，预计2026-2027年DRAM与NAND产值分别达5516/8427亿美元，同比+134%/+53%。

　　招商证券认为，国内自主可控环节持续向好，存储及先进制程需求旺盛、扩产确定性较强，国内核心存储设备订单增长趋势明确，设备国产化率进入快速提升阶段；近期MATCH法案拟扩大制裁范围，要求日本、荷兰等在150天内将本国对华半导体设备出口管制与美国政策完全对齐，禁止向中国销售DUV光刻机等设备、将中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹集团、华为实施全面出口限制，进一步强化供应链自主可控需求，有望加速光刻机产业链及设备国产化快速增长。

　　截至2026年4月10日 13:59，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.80%，成分股峰岹科技上涨10.28%，佰维存储上涨7.91%，普冉股份上涨6.76%，龙迅股份，睿创微纳等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.69%，最新价报0.95元。

　　科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

　　数据显示，截至2026年3月31日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、芯原股份、佰维存储、寒武纪、睿创微纳、东芯股份、晶晨股份、龙芯中科、臻镭科技，前十大权重股合计占比58.85%。

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