海内外存储芯片产业链同步爆发！相关基金有哪些？

　　5月6日，存储芯片板块上演 “涨停潮”，成为全场最耀眼的主线。个股方面，江波龙、朗科科技20CM涨停，中电港、通富微电、广合科技、兆易创新、德明利等亦涨停。

　　存储芯片板块的大涨，是海外巨头业绩暴增提振情绪、AI 催生存储需求开启超级周期与行业供需缺口持续扩大推动价格大涨共振的结果。

　　首先，海外巨头业绩暴增，五一假期催化情绪。消息面上，五一期间海外存储芯片龙头集体大涨，直接为A股板块提供了情绪引爆点。5月6日，三星电子股价截止收盘报26.6万韩元/股，涨超14%，SK海力士涨超10%，股价最高报161.4万韩元/股，创历史新高；隔夜美股方面，存储巨头美光科技与闪迪股价同样刷新历史高点。

　　业绩层面，SK 海力士、三星、闪迪等全球存储巨头发布财报，业绩均大幅超预期。其中，SK海力士2026年第一季度营收52.58万亿韩元，营业利润37.61万亿韩元，净利润40.35万亿韩元，同比分别增长198%、405%和398%；三星电子同步交出史上最强季报，Q1总营收133.9万亿韩元，营业利润57.2万亿韩元，同比暴增756%；美国存储巨头闪迪2026财年第三财季（也即公历今年第一季度）营收59.5亿美元，环比大增97%，净利润36.75亿美元，环比大增280%。

　　其次，AI 驱动存储需求爆发，行业进入"超级周期"。随着 AI 大模型从训练走向大规模推理应用，对 HBM（高带宽存储）、DRAM、NAND 的需求呈指数级增长。

　　兴业证券研报认为，预计此轮周期和过去几轮存储周期有本质的不同，此轮存储景气周期是由AI驱动而非消费电子，而存储配置直接关系到AI系统的认知能力、功能实现及运行效率。随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求快速增长，行业景气度持续提升。

　　最后，供需缺口持续扩大，驱动存储价格持续飙升。供需紧张格局已直接反映在价格上。TrendForce集邦咨询预测，2026年第二季度，一般型DRAM整体合约价格环比上涨58%-63%；NAND Flash整体合约价格环比上涨70%-75%。

　　中信证券最新研报指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。AI驱动的需求爆发与原厂扩产错位致使缺货常态化，预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026年全年。

　　东方港湾董事长但斌表示，从行业基本面来看，存储芯片扩产周期长达18—24个月，供给端扩张缓慢，而AI带来的增量需求持续爆发，推动DRAM、NAND、高带宽内存（HBM）价格全面上涨，企业毛利率大幅提升，业绩集体超预期。全球存储行业高度集中，头部企业掌握核心技术与定价权，形成垄断竞争格局，进一步巩固了行业景气度。

　　华尔街投研机构Melius Research在一份报告中指出，存储需求可能在本十年末前都保持高位。Melius Research的分析师Ben Reitzes在报告中进一步指出，存储对于客户而言已具有“生存级重要性”。如果AI趋势延续，存储价格上涨趋势可能持续，因为供需关系正发生结构性变化。

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