价格翻倍！利好突袭：存储芯片传来大消息

　　存储芯片涨价潮仍在持续。

　　研究机构DigiTimes在最新发布的报告中指出，受AI（人工智能）需求激增、产能结构性瓶颈影响，高带宽内存（HBM）价格预计2027年实现翻倍。与此同时，SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-jung)表示，预计2027年将成为存储芯片行业供应短缺最严重的一年。

　　种种迹象表明，存储芯片行业的涨价潮正愈演愈烈。存储模组大厂威刚的董事长近日透露，2026年第三季度，存储芯片继续涨价。

　　价格或将翻倍

　　当地时间7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，受AI算力需求爆发、产能结构性紧缺双重因素影响，HBM价格预计2027年实现翻倍。

　　行业消息人士称，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。

　　据介绍，涨价核心源于两大生产原因：一方面，HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；另一方面，生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。

　　当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。

　　DigiTimes预判，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商难以拿到供货份额。

　　与此同时，供应链有消息透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重内存断供危机。

　　今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。

　　紧缩供应、涨价叙事正在成为存储芯片板块的强大催化剂。

　　美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的265亿美元发行规模，其ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。

　　SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并一直延续到2030年以后。

　　存储模组大厂释放重磅信号

　　全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片继续涨价。

　　陈立白表示，2026年第三季度，DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调，两大产品线涨势明确，存储产业的上升通道仍在加速。

　　陈立白透露，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%；两大产品线价格均维持上升趋势，将持续助力威刚业绩表现。

　　陈立白称，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。

　　威刚表示，随着AI算力需求持续扩张，厂商分配给通用DRAM、消费级固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减，本就处于供给最紧张阶段的存储市场供需矛盾将进一步加剧。2027年内存、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。

　　在此之前，多家机构也发表报告预计2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨。

　　据TrendForce（集邦咨询）最新发布的存储器价格调查报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高价格基数原因，合约价涨幅收敛，预计将季增13%—18%。

　　NAND Flash方面，集邦咨询认为，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15%，涨价幅度较前几季明显缩减。

　　瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调存储芯片价格预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。

（文章来源：券商中国）

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