中信证券：算力突破电力边界 SST开启硅进铜退新周期

　　中信证券研报表示，AI芯片性能与密度提高带来智算中心（AIDC）功耗跃升，传统不间断电源（UPS）架构在能耗、占地等多方面已触及瓶颈，AIDC供配电加速向高压直流化演进。短期内，高压直流输电（HVDC）系统、巴拿马电源有望作为过渡方案，长期看，800VDC+固态变压器（SST）凭借中压直入、高频隔离及“硅进铜退”优势，或成为高密算力供电的终局解决方案。建议关注SST整机及SiC、高频磁件、电容和固态断路器等核心环节。

　　全文如下

　　电新｜AIDC供电：算力突破电力边界，SST开启硅进铜退新周期

　　AI芯片性能与密度提高带来智算中心（AIDC）功耗跃升，传统不间断电源（UPS）架构在能耗、占地等多方面已触及瓶颈，AIDC供配电加速向高压直流化演进。短期内，高压直流输电（HVDC）系统、巴拿马电源有望作为过渡方案，长期看，800VDC+固态变压器（SST）凭借中压直入、高频隔离及“硅进铜退”优势，或成为高密算力供电的终局解决方案。建议关注SST整机及SiC、高频磁件、电容和固态断路器等核心环节。

　　▍算力扩张由“芯片约束”转向“电力约束”，高密度机柜倒逼供配电Capex前置。

　　AI算力升级同时推高单芯片功耗、机柜功耗密度与负载波动幅度，传统数据中心约10kW级机柜正向Rubin Ultra/Kyber的MW级跨越。柜外电源设备已由后台配套升级为决定GPU部署密度、上线速度与有效算力产出的核心基础设施，有望成为本轮AIDC资本开支中价值量提升最确定的环节之一。

　　▍英伟达 800VDC方向已经确立，供电架构沿“高压化、直流化、模块化、极简化”加速演进。

　　传统UPS需要经历中压降压、AC/DC整流、DC/AC逆变、机架PSU再整流等多级变换，从电网至机柜的串联损耗更大，且低压大电流同步推高铜耗和灰区占地。800VDC通过抬升传输电压、降低同功率电流，可显著改善铜耗、效率并缓解灰白区占地冲突。伴随Rubin时代机柜功率密度跃升，供电架构升级已成为算力交付的必要条件。

　　▍柜外Power Rack/Sidecar率先兑现，800VDC+SST是长期收敛方向。

　　短期来看，存量数据中心有UPS Sidecar、HVDC Sidecar/独立柜电源的改进方案，在保留既有交流配电体系的同时释放机柜空间、降低传输损耗；部分新建数据中心则可能选择HVDC系统和巴拿马电源的过渡方案。SST可将中压交流直接变换为800V直流，集成变压、整流、电气隔离、电能质量控制及双向能量管理，减少低压配电层级与故障节点，预计将成为未来AIDC柜外电源架构的终极方案。

　　▍SST以“硅进铜退”重构电能路由，能耗效率、缩减灰区占地和全生命周期经济性构成产业化底层驱动力。

　　根据英伟达《数据中心800V直流供电技术白皮书》数据，SST依托功率半导体和高频磁性元件，将工作频率由50/60Hz提升至kHz级，大幅压缩变压器体积，全链路效率较传统UPS可提升约3%，系统占地面积可降至传统方案的50%以下。节电节地、缩短部署周期及SiC降本有望持续改善全生命周期经济性，产业化拐点将由“能否实现”转向“何时通过客户验证并形成规模订单”。

　　▍功率半导体、高频磁性元件是SST核心功能部件。

　　根据英伟达《数据中心800V直流供电技术白皮书》数据，功率半导体、高频/中频变压器分别约占SST成本的32%、16%，是价值量最集中的增量环节；其中SiC决定耐压、频率与转换损耗，高频磁性元件决定隔离能力及功率密度，薄膜电容、超级电容和固态断路器分别承担母线稳压、瞬时功率支撑与直流故障保护。器件降本与可靠性验证将共同决定SST渗透率拐点。

　　▍产业链整体处于产品发布+客户验证阶段，预计2027年将成为规模化部署元年。

　　根据各公司官网及公告，四方股份已推出10kVAC/800VDC、2.4MW数智SST 1.0，目前处于市场推广、场景落地及海外认证推进阶段；中国西电10kV/2.42MVA产品已应用于贵安“东数西算”数据中心；金盘科技已完成10kV/2.4MW样机并持续迭代，尚未公告明确量产时间。现阶段应重点跟踪客户准入、认证结果、示范运行时间、正式订单及收入确认，而不能将发布样机直接等同于规模放量。

　　▍市场空间取决于算力芯片出货、单位功耗、架构渗透率、单位价值量与冗余度五项变量，SST具备由0到1的高弹性。

　　本报告采用情景法测算，乐观/中性/悲观情景下2030E SST渗透率分别假设为40%/36%/32%，同时假设规模化降本后SST平均价格降至3.0元/W。我们测算，2030E SST市场规模在乐观条件下有望突破4600亿元，中性条件下可达到4166亿元。

　　▍风险因素：

　　1）AIDC建设不及预期风险：若国内外AIDC新建/扩建项目进度放缓，则相关配套电源系统的交付需求可能推迟。2）技术进展风险：若SST成熟度不及市场预期，则商业化落地节奏可能推迟。3）关税风险：SST产品在海外市场的销售对关税环境较为敏感，若海外国家针对国内SST出口商采取新的关税政策，将可能影响海外订单获取及整体盈利水平。4）AI相关资本开支不及预期风险：受下游各大CSP及大型AIDC运营商资本开支周期波动影响，若终端客户在柜外电源设备方面的招标节奏放缓、规模缩减或削减资本开支，将可能对相关公司的收入造成负面影响。5）竞争加剧风险：国内外竞争环境较为激烈，若竞争加剧陷入价格战，将对相关公司的盈利能力产生负面影响。6）供应链风险：SST核心零部件等供应若出现扰动或价格上涨，将导致设备交付延迟与成本上升。7）地缘政治与贸易壁垒风险：美国若出台针对中国电新设备的贸易限制措施，将影响中国企业的出海进程。

　　▍投资策略：建议沿“整机卡位-部件受益”双线主线布局。

　　整机及系统维度，建议关注具备项目交付与海外认证能力的企业；零部件受益维度，建议关注SiC产业链，电容产业链以及固态直流保护环节。

（文章来源：财联社）

(原标题：中信证券：算力突破电力边界 SST开启硅进铜退新周期)

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