长鑫科技新型架构撼动存储市场 海外龙头垄断壁垒面临重估

　　国产存储龙头长鑫科技发布新型技术架构，全球存储龙头股价近期明显回调。10月13日，三星电子、SK海力士跌幅超过7%，10月14日跌幅收窄企稳。

　　业内人士向证券时报记者分析，国际存储巨头暴跌，短期是交易层面的情绪超调，长期来看反映了市场对其垄断壁垒的重估，而未来服务器市场会面临分化。

　　报道显示，10月10日，长鑫科技总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上公布公司在DRAM器件、4F^[2]架构及混合键合等方向进展，并预计年底推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。相比DRAM行业主流6F^[2]架构，4F^[2]意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，实现存储密度的提升。该技术最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。

　　“这是用三维架构跨越对冲光刻机受限的方法。”CIC灼识副总监张笑璐向记者分析，VSG属于学术界与产业界研发多年的立式GAA。 据介绍，海外巨头原计划在2027—2028年推进至10nm以下制程或3D DRAM时才导入该路线，长鑫科技因外部限制选择提前跳切。相比传统DRAM采用6F^[2]构型，长鑫科技通过垂直环绕栅极加晶圆级混合键合，在不依赖先进制程EUV光刻的前提下，使单胞面积缩减约33%，晶圆位元密度提升30%—50%。

　　对于本次架构创新的产业链影响，张笑璐表示，半导体设备层面有望重点利好超高深宽比等离子刻蚀、原子层沉积、晶圆级混合键合及超高精度化学机械抛光；在主控芯片层面，对外输出的DDR5 RDIMM必须严格兼容JEDEC标准，主控无需重写核心架构，但因底层漏电控制与散热界面改变，需要在动态刷新与电源管理固件上联合调优。

　　产品侧，长鑫科技还宣布年底亮相面向服务器内存的4F^[2]架构DDR5 RDIMM。分析师认为有望打破海外厂商在通用型DDR5内存的长期定价垄断。

　　张笑璐介绍，通常服务器内存的验证周期需要18至24个月。长鑫科技新架构服务器内存如果推出，短期内预计对全球供需无实质冲击。因为海外巨头目前将产能重点压在HBM3e/HBM4上，传统服务器DDR5本就处于紧平衡。但中长期来看，国产新型服务器内存将优先承接国内自主保供需求，并打破韩美厂商在通用DDR5领域的长期定价垄断，迫使海外巨头退守更高壁垒的HBM与定制内存市场。

　　长鑫科技官宣新架构后，10月13日，全球存储龙头三星电子下跌超过7%，韩股SK海力士股价下跌约10%，10月14日，SK海力士股价跌幅收窄至1.66%。

　　对于海外存储同行市场表现，张笑璐称，短期是交易层面的情绪超调，长期是对垄断壁垒的实质性重估。据介绍，两家海外存储巨头当前的核心利润是绑定AI算力的HBM订单，而长鑫此次突破的是通用服务器DDR5，短期内不分流HBM利润池，且验证爬坡期的存在，决定了它不会立即冲击短期财报。

　　“但是海外存储巨头长期逻辑有实质性动摇。长鑫科技的架构突围证明即使被卡住光刻节点，也能在有效位元密度上实现追平，动摇了美韩存储巨头的长期技术代差溢价。” 张笑璐表示。

　　除了新型架构突破，长鑫科技近期宣布了多个技术突破和投资扩产。9月20日，公司宣布第五代DRAM工艺平台（G5平台）正式量产，同步推出基于该平台研发的大容量LPDDR5X产品。G5平台通过四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球一线DRAM量产工艺水准。

　　9月28日，长鑫科技公告拟使用部分超募资金推进总投资241亿元的技术研发项目，用于先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发、先进封装与芯粒技术攻关；以及总投资108亿元后道测试基地二期项目，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。

　　据国际市场研究机构Counterpoint Research估算，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%，提升至2026年第二季度的10%，是全球第四大DRAM厂商。

（文章来源：证券时报）

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